根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》等国家法律法规，现将如下科技成果许可进行公示。公示期15天，自2021年12月1日至2021年12月15日。如有任何异议，请于公示期内向科研院实名反映。

联系方式：025-84892757

专利号：ZL201811294571.5 

专利名称：一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法

专利简介：

本发明为一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路，用于驱动GaN HEMT，所述驱动电路包括高速开通电路，稳态驱动电路，关断电路和反相电路；其中，所述高速开通电路有3个端口，输入端连接第一供电电源，一个输出端连接GaN HEMT的栅极，另一个输出端连接稳态驱动电路输入端；所述稳态驱动电路有3个端口，一个输入端连接反相电路输出端，另一个输入端连接高速开通电路输出端，输出端依次连接高速开通电路输出端和GaN HEMT栅极；所述关断电路，连接在GaN HEMT栅极和源极之间，输入端连接反相电路输出端；所述反相电路与第二驱动电源相连，并依次连接稳态驱动电路和关断电路。此种驱动电路可充分发挥GaN HEMT高速开关的性能优势，降低驱动损耗的同时保证高速开关。

发明人：张英，秦海鸿，彭子和，修强，徐华娟

专利权人：南京航空航天大学  

专利授权日：2020.10.20

受让方： 南京奥云德电子科技有限公司

转让/许可方式：普通许可

拟交易价格及价格形成过程：经双方协商，交易价格拟定为12万。