根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》等国家法律法规，现将如下科技成果转让进行公示。公示期15天，自2023年3月31日至2023年4月14日。如有任何异议，请于公示期内向科研院实名反映。

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专利号：ZL201210367504.8

专利名称：一种低温氢等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法

专利简介：本发明公开一种低温等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法。其方法步骤如下：(1) 采用热丝CVD方法在衬底上沉积纳米晶碳化硅或非晶碳化硅薄膜；(2) 采用干氧氧化的方法形成一层二氧化硅薄层；(3) 采用磁控溅射或真空热蒸发方法继续沉积铝薄膜；(4) 将此叠层结构在等离子体辅助下采用还原气体与惰性气体混合气氛退火；(5) 用Al腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝，最终得到晶粒大小达到3-5微米左右，表面光滑平整的多晶SiC薄膜。本发明是一种在廉价衬底上低温制备大晶粒碳化硅的方法。相比传统多晶碳化硅制备方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。

发明人：吴天如，沈鸿烈，方茹，张磊

专利权人：南京航空航天大学 

专利授权日：2014年11月4日

受让方：江西汉可泛半导体技术有限公司

转让/许可方式：转让

拟交易价格及价格形成过程：经协商，交易价格拟定为人民币5万元。