根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》等国家法律法规，现将如下科技成果许可进行公示。公示期15天，自2024年5月24日至2024年6月7日。如有任何异议，请于公示期内向科研院实名反映。

联系方式：025-84892757

专利号：ZL202310077027.X

专利名称：一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法

专利简介：本发明是关于一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法，电路包括GaN HEMT，GaN HEMT漏源极连接高精度电压钳位电路，漏极同时连接电压采样调理电路，源极同时连接电流采样调理电路；所述电压采样调理电路、电流采样调理电路均连接控制器MCU，分别输出调理后的电压信号、电流信号至控制器MCU处理并得到结温预测值。选用与结温线性度较好的导通电阻作为温敏参数，通过钳位GaN HEMT关断电压缩减电压测量范围，并通过尖峰抑制电阻以及电容来削弱钳位电路所引入的电压尖峰问题，从而极大程度提高所获取导通压降的精度，实现快速精确地GaN HEMT结温预测。

发明人：秦海鸿;彭江锦;张子墨;鲍赢;韩翔;陈文明;卜飞飞;张方华;赵絮;徐祯祥

专利权人：南京航空航天大学  

专利授权日：2024年3月29日

受让方：南京航芯源电子科技有限公司

转让/许可方式：普通许可

拟交易价格及价格形成过程：经协商，交易价格拟定为人民币10万元。