根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》等国家法律法规，现将如下科技成果转让进行公示。公示期15天，自2026年5月7日至2026年5月21日。如有任何异议，请于公示期内向科研院实名反映。

联系方式：025-84892757

专利号：ZL202311338914.4

专利名称：一种PtNPs@n-ZnO:Ga/p-SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法

专利简介：本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@ZnO:Ga微米线、金属Ag薄膜电极、金属Ti/Au合金电极、石墨烯电极；所述制备方法通过单根n‑ZnO:Ga微米线和p‑SiC衬底构筑有效的p‑n型结构，并采用石墨烯电极作为顶部透明电极，提高入射透过率，同时石墨烯电极和n‑ZnO:Ga微米线形成的肖特基势垒能极大地促进光生电子的传输、收集和捕获。相较于现有技术，本发明通过构筑PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑SiC异质结构，在自驱动条件(0V偏压)下，实现对335nm紫外光的高响应度、高比探测率和高外量子效率。

发明人：姜明明、余梦鑫、唐楷、阚彩侠

专利权人：南京航空航天大学

专利授权日：2024-04-30

受让方：广东天域半导体股份有限公司

转让/许可方式：转让

拟交易价格及价格形成过程：经协商，拟交易价格定为10万元。